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南京大学物理学院博士王瑶佳、骨灰博士生王利铮为该工作共同第一作者，缪峰教授和梁世军副研究员为该工作的共同通讯作者。扔上磁电阻以及电子空穴浓度比随栅压的变化。为了避免薄膜的氧化，演唱缪峰课题组利用干法转移技术制作了h-BN保护的高质量WTe2薄膜器件(如图a所示，演唱薄膜厚度约10 nm)，同时利用h-BN作为栅介质原位调控WTe2中的载流子浓度。

【前言】三十年前，太炸台磁性多层结构中巨磁阻效应的发现直接导致了固态存储硬盘的小型化革命。但是，裂粉在2014年，有实验发现非磁性块体材料二锑化钨（WTe2）在低温下电阻随磁场的增加出现不饱和增长现象，磁电阻在60 T时达到

通过在室温下简单的混合处理，亲妈钠钾液态合金就会自发地扩散填充进预先处理过的碳骨架集流体当中（carbonpaper）。

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